全面认识Flash闪存芯片类型——SLC，MLC，TLC，QLC的区别差异
大家对TLC闪存似乎颇有偏见，此帖要为其正名
此帖会对SLC、MLC、TLC、QLC闪存寿命、价格、储存期限、价格等方面做较为详细的介绍。
SLC和MLC相信都比较熟悉，这里不做过多介绍，重点讨论逐渐应用在SSD上的TLC闪存和新生的QLC闪存。
数据来自网络收集，测试数据来自数码之家论坛。
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先简单介绍一下SLC、MLC、TLC、QLC闪存。
SLC = Single-Level Cell ，即1bit/cell，速度快寿命长，价格昂贵（约MLC 3倍以上的价格）
MLC = Multi-Level Cell，即2bit/cell，速度一般寿命一般
TLC = Trinary-Level Cell，即3bit/cell，也有Flash厂家叫8LC，速度慢寿命短，价格便宜
QLC = Quad-Level Cell？即4bit/cell，速度最慢寿命最短
QLC FLASH说明文档截图，一个简单介绍，不过TLC部分数据有误，500P/E是第一代TLC产品，工艺不成熟。
现在Hynix官方PDF介绍TLC闪存大约是2500~5000P/E，东芝的更高(tcbgs)。
以下数据来自ubao收集。
注意：
1、数据都是典型值，不要拿些特例来闲扯，欢迎有根据的探讨；
2、以下只讨论正片，白片不好说，黑片太神秘，不予讨论。
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【闪存寿命(P/E)】
SLC闪存：5Xnm 10W、3Xnm 10W、2Xnm 无数据
MLC闪存：5Xnm 1W、3Xnm 5k、2Xnm 3k、工业级 3w
TLC闪存：5Xnm 2.5k、3Xnm 1.25k、2Xnm 750
QLC闪存：约50~100。根据cl17726的测试，第133次就挂了(未进行漏电测试)，制程未知
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【储存期限】
SLC闪存：5Xnm 十年、3Xnm 无数据、2Xnm 无数据
MLC闪存：5Xnm 无数据、3Xnm 1年、2Xnm 1年、工业级 0.25 (厂商标的，实际远超该值)
TLC闪存：没厂家敢说
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【功耗(mA)】
SLC闪存：1.8V 100mA
MLC闪存：3.3V 200mA
TLC闪存：3.3V 500mA
注：此处为单通道，单CE条件下测试数据
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SLC闪存：5Xnm 写25M/S 读35M/S、3Xnm 无数据、2Xnm 无数据
MLC闪存：5Xnm 无数据、3Xnm 写15M/S 读30M/S、2Xnm 写8M/S 读15M/S、工业级 无数据
TLC闪存：5Xnm 无数据、3Xnm 写4M/S 读12M/S、2Xnm 写1.5M/S 读10M/S
QLC闪存：无数据
【使用周期和纠错功能比较表】
尽管纠错功能不断提升，但是对储存单元耐用性影响不大。
随着工艺进步，能买到更便宜的闪存的同时，闪存寿命也在逐步下降。主控的作用也越来越被凸显，Anobit(已被水果用4亿美元收购)提到，对于2xnm MLC，使用它专利的存储技术可以把MLC从3000次写入寿命，提高到5万次。
不过实际购买时个人建议太在意这些（不坑的前提下
与其在意采用什么闪存，不如看看其实际表现与性价比。
以IS902E + 双贴INTEL 16G SLC闪存的DIY U盘和Sandisk CZ80 32G为例
二者价格相近，前者为260左右，后者230元左右。
虽然CZ80采用的是MLC闪存，但其采用SSD主控配合四/八通道MLC闪存，实际表现尤其小文件读写远比采用SLC闪存的DIY U盘要好。
三棒（就是三星）840采用TLC闪存受到很大争议，因为TLC的成本优势远不如MLC相比SLC那么明显，而且还有一个更严重的问题就是寿命与速度。
TLC存在着和MLC闪存一样的问题，而且是比MLC的问题更为严重。TLC要检测到8个电压状态，随即读取速度将会更耗时：TLC闪存将耗时100μs。SLC闪存随机读取仅用其四分之一的时间。而MLC闪存也只用其一半的时间就完成了任务。编程时间也不占优势，可惜的是，目前尚未有关TLC闪存编程时间的数据。
不过如果TLC闪存的SSD能把SSD价格拉下来的话也不错。
依靠大容量、多通道，再加上主控磨损平衡，TLC的SSD也没有想像的那么糟糕（前提是价格要大大低于目前采用MLC闪存的SSD
而且电子产品换代如此之快的今天，一块盘用个三五年就不错了，为了那不必要的寿命花费更多的钱也是种浪费.
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